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IRFBC40 MOSFET de puissance 600V 6.2A
4.00 DT
Les MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay offrent au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception d’appareil robuste, de faible résistance à l’état passant et de rentabilité.
En stock
Le boîtier TO-220AB est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance jusqu’à environ 50 W.
La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier du TO-220AB contribuent à sa large acceptation dans l’ensemble de l’industrie.
- Désignation du type : IRFBC40
- Type de transistor : MOSFET
- Type de canal de contrôle : N -Channel
- Dissipation de puissance maximale (Pd) : 125 W
- Tension drain-source maximale | Vds | : 600 V
- Tension grille-source maximale |Vgs| : 20 V
- Tension de seuil de grille maximale |Vgs(th)| : 4 V
- Courant de drain maximal |Id| : 6,2 A
- Température de jonction maximale (Tj) : 150 °C
- Charge totale de la porte (Qg) : 60 (max) nC
- Temps de montée (tr) : 18 nS
- Capacité drain-source (Cd): 160 pF
- Résistance maximale à l’état passant drain-source (Rds) : 1,2 Ohm
| Weight | 0.010 kg |
|---|---|
| Marque |
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