IRFBC40 MOSFET de puissance 600V 6.2A

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Les MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay offrent au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception d’appareil robuste, de faible résistance à l’état passant et de rentabilité.

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Le boîtier TO-220AB est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance jusqu’à environ 50 W.

La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier du TO-220AB contribuent à sa large acceptation dans l’ensemble de l’industrie.

  • Désignation du type : IRFBC40
  • Type de transistor : MOSFET
  • Type de canal de contrôle : N -Channel
  • Dissipation de puissance maximale (Pd) : 125 W
  • Tension drain-source maximale | Vds | : 600 V
  • Tension grille-source maximale |Vgs| : 20 V
  • Tension de seuil de grille maximale |Vgs(th)| : 4 V
  • Courant de drain maximal |Id| : 6,2 A
  • Température de jonction maximale (Tj) : 150 °C
  • Charge totale de la porte (Qg) : 60 (max) nC
  • Temps de montée (tr) : 18 nS
  • Capacité drain-source (Cd): 160 pF
  • Résistance maximale à l’état passant drain-source (Rds) : 1,2 Ohm
Poids 0.010 kg
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