IRFBC40 MOSFET de puissance 600V 6.2A
4.00 DT
Marque: ST
Les MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay offrent au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception d’appareil robuste, de faible résistance à l’état passant et de rentabilité.
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Délai de livraison estimé: Déc 10 – Déc 11
Le boîtier TO-220AB est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance jusqu’à environ 50 W.
La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier du TO-220AB contribuent à sa large acceptation dans l’ensemble de l’industrie.
- Désignation du type : IRFBC40
- Type de transistor : MOSFET
- Type de canal de contrôle : N -Channel
- Dissipation de puissance maximale (Pd) : 125 W
- Tension drain-source maximale | Vds | : 600 V
- Tension grille-source maximale |Vgs| : 20 V
- Tension de seuil de grille maximale |Vgs(th)| : 4 V
- Courant de drain maximal |Id| : 6,2 A
- Température de jonction maximale (Tj) : 150 °C
- Charge totale de la porte (Qg) : 60 (max) nC
- Temps de montée (tr) : 18 nS
- Capacité drain-source (Cd): 160 pF
- Résistance maximale à l’état passant drain-source (Rds) : 1,2 Ohm
Poids | 0.010 kg |
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Marque |
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