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  • SKU: BC640
    BC639 Transistors NPN 0.50 DT

    Le BC640 est un transistor NPN BJT doté de nombreuses fonctionnalités intéressantes dans son petit boîtier de taille TO-92. Il peut être utilisé à de nombreuses fins générales de commutation et d’amplification.

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  • SKU: BD136
    BD136 Transistor PNP 0.50 DT

    Le transistor BD136 avait le boîtier TO-126, c’est un boîtier de transistor de puissance principalement utilisé pour les appareils de moyenne puissance.

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  • SKU: BD138
    BD138 Transistor PNP 0.50 DT

    Le transistor BD138 avait le boîtier TO-126, c’est un boîtier de transistor de puissance principalement utilisé pour les appareils de moyenne puissance.

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  • SKU: BD139
    BD139 Transistor PNP 0.70 DT

    Le transistor BD139 avait le boîtier TO-126, c’est un boîtier de transistor de puissance principalement utilisé pour les appareils de moyenne puissance.

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  • SKU: BD232
    BD232 Transistor NPN 1.00 DT

    Le BD232 c’est un transistor silicium NPN , Uce = 300V, Ic = 250mA, d´application: étages de commande de déviation horizontale, TV

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  • SKU: BD234
    BD234 Transistor PNP 1.00 DT

    Le BD234 est un transistor de puissance PNP à base épitaxiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32 destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne. Tension (IE = 0) –

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  • SKU: BD235
    BD235 Transistor NPN 1.00 DT

    Les BD235 et BD237 sont des transistors de puissance NPN à base épitaxiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32 destinés à être utilisés dans des applications linéaires et de commutation de moyenne puissance. Les types PNP complémentaires sont respectivement BD236 et BD238.123SOT- 32 SCHÉMA INTERNE

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  • SKU: BD236
    BD236 Transistor PNP 1.00 DT

    Le BD236 est un transistor de puissance NPN à base épitaxiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32 destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de moyenne puissance

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  • SKU: BD240C
    BD240C Transistor PNP de puissance au silicium 1.00 DT

    Transistor au silicium BD240C TO220 à usage général de puissance moyenne

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  • SKU: BD250C
    BD250C Transistor PNP TO-3P 4.00 DT

    Transistor au silicium BD250C  TO-3P à usage général de puissance moyenne

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  • SKU: BD435
    BD435 Transistor de puissance NPN 1.00 DT

    Le BD435 est un transistor de puissance NPN à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.

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  • SKU: BD436
    BD436 Transistor PNP 1.00 DT

    Le BD436 est un transistor de puissance PNP à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.

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  • SKU: BD438
    BD438 Transistor de puissance PNP 1.00 DT

    Le transistor de puissance BD438 PNP est à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.

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  • SKU: BD439
    BD439 Transistor de puissance NPN 1.00 DT

    Le transistor de puissance BD439 PNP est à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.

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  • SKU: BDW93C
    BDW93C Transistor NPN Darlington 12A 100V 2.00 DT

    BDW93C Transistor Darlington NPN, 12 A 100 V HFE:100, 3 broches TO-220

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  • SKU: BDW94C
    BDW94C Transistor PNP Darlington 12A 100V 2.00 DT

    Transistor Darlington BDW94C PNP, 12 A 100 V HFE:100, 3 broches TO-220

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  • SKU: BF422
    BF422 Transistor NPN 1.00 DT

    Le BF422 est un transistor RF NPN haute tension, que l’on trouve principalement dans les sorties vidéo des téléviseurs et des moniteurs vidéo. Ce transistor est complémentaire du BF423.

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  • SKU: BF423
    BF422 Transistor PNP 1.00 DT

    Le BF423 est un transistor à jonction bipolaire PNP fabriqué dans un boîtier en plastique TO-92. Les broches du transistor sont disposées comme suit : la première broche du transistor est l’émetteur, la deuxième broche est le collecteur et la troisième broche est la base.

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