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BD250C Transistor PNP TO-3P
4.00 DT
Transistor au silicium BD250C TO-3P à usage général de puissance moyenne
In stock
- Structure PNP
- Tension collecteur-émetteur, max : -100 V
- Tension collecteur-base, max : -115 V
- Tension émetteur-base, max : -5 V
- Courant collecteur, pas plus : -25 A
- Puissance dissipée du collecteur, max : 125 W
- Gain de courant transistor (hfe) : à partir de 25
- Fréquence de coupure du rapport de transfert de courant : 3 MHz
- Boîtier : TO-3P
- Importé en Tunisie par le distributeur Dali-Key Electronics
| Weight | 0.001 kg |
|---|---|
| Marque |
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