2SC3807 Transistor NPN
1.70 DT
Transistor PNP
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- Grande capacité de courant (IC=2A).
- Adoption du processus MBIT.
- Gain de courant continu élevé (hFE=800 à 3200).
- Faible tension de saturation collecteur-émetteur
- (VCE(sat)0.5V).
- VEBO élevé (VEBO15V).
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