2SC3807 Transistor NPN

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Transistor  PNP

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  • Grande capacité de courant (IC=2A).
  • Adoption du processus MBIT.
  • Gain de courant continu élevé (hFE=800 à 3200).
  • Faible tension de saturation collecteur-émetteur
  • (VCE(sat)0.5V).
  • VEBO élevé (VEBO15V).

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