BD250C Transistor PNP TO-3P

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ST

Transistor au silicium BD250C  TO-3P à usage général de puissance moyenne

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  Délai de livraison estimé: Juin 26 – Juin 27

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  • Structure PNP
  • Tension collecteur-émetteur, max : -100 V
  • Tension collecteur-base, max : -115 V
  • Tension émetteur-base, max : -5 V
  • Courant collecteur, pas plus : -25 A
  • Puissance dissipée du collecteur, max : 125 W
  • Gain de courant transistor (hfe) : à partir de 25
  • Fréquence de coupure du rapport de transfert de courant : 3 MHz
  • Boîtier : TO-3P
  • Importé en Tunisie par le distributeur Dali-Key Electronics
Poids 0.001 kg
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