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BSR50NPN Darlington Transistor
1.50 DT
Transistor Darlington BSR50NPN Cet appareil est conçu pour les applications nécessitant un gain extrêmement élevé à des courants de collecteur jusqu’à 0,5 A. Provenant du processus 06.TO-9211.
En stock
- Désignation du type : BSR50
- Matériau du transistor : Si
- Polarité : NPN
- Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 0,8 W
- Tension collecteur-base maximale |Vcb| : 60 V
- Tension maximale collecteur-émetteur |Vce| : 45 V
- Tension maximale émetteur-base |Veb| : 5 V
- Courant maximal du collecteur |Ic max| : 2 A
- Max. Température de jonction de fonctionnement (Tj) : 150 °C
- Fréquence de transition (pi): 175 MHz
- Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 2000
- Facteur de bruit, dB : –
- Paquet: TO92
- Importé en Tunisie par le distributeur Dali-Key Electronics
| Weight | 0.001 kg |
|---|---|
| Marque |
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