BSR50NPN Darlington Transistor

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1.50 DT

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ST

Transistor Darlington BSR50NPN Cet appareil est conçu pour les applications nécessitant un gain extrêmement élevé à des courants de collecteur jusqu’à 0,5 A. Provenant du processus 06.TO-9211.

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  Délai de livraison estimé: Déc 10 – Déc 11

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  • Désignation du type : BSR50
  • Matériau du transistor : Si
  • Polarité : NPN
  • Dissipation de puissance maximale du collecteur (Pc) : 0,8 W
  • Tension collecteur-base maximale |Vcb| : 60 V
  • Tension maximale collecteur-émetteur |Vce| : 45 V
  • Tension maximale émetteur-base |Veb| : 5 V
  • Courant maximal du collecteur |Ic max| : 2 A
  • Max. Température de jonction de fonctionnement (Tj) : 150 °C
  • Fréquence de transition (pi): 175 MHz
  • Rapport de transfert de courant direct (hFE), MIN : 2000
  • Facteur de bruit, dB : –
  • Paquet: TO92
  • Importé en Tunisie par le distributeur Dali-Key Electronics
Poids 0.001 kg
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