Le BD234 est un transistor de puissance PNP à base épitaxiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32 destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne. Tension (IE = 0) –

Les BD235 et BD237 sont des transistors de puissance NPN à base épitaxiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32 destinés à être utilisés dans des applications linéaires et de commutation de moyenne puissance. Les types PNP complémentaires sont respectivement BD236 et BD238.123SOT- 32 SCHÉMA INTERNE

Le BD236 est un transistor de puissance NPN à base épitaxiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32 destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de moyenne puissance

Transistor au silicium BD240C TO220 à usage général de puissance moyenne

Le BD436 est un transistor de puissance PNP à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.

Le transistor de puissance BD438 PNP est à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.

Le transistor de puissance BD439 PNP est à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.

BDW93C Transistor Darlington NPN, 12 A 100 V HFE:100, 3 broches TO-220

Le BF423 est un transistor à jonction bipolaire PNP fabriqué dans un boîtier en plastique TO-92. Les broches du transistor sont disposées comme suit : la première broche du transistor est l’émetteur, la deuxième broche est le collecteur et la troisième broche est la base.

Transistor Darlington BSR50NPN Cet appareil est conçu pour les applications nécessitant un gain extrêmement élevé à des courants de collecteur jusqu’à 0,5 A. Provenant du processus 06.TO-9211.