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UGS : BC556B
BC556B Transistors NPN 0.50 DT
BC556B-HTLe transistor est en gaine to92 et possède un canal PNP et une puissance de 500mW.
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UGS : BC637
BC637 Transistors NPN 0.50 DT
Le transistor à courant élevé BC637 NPN est conçu pour les étages de pilote des amplificateurs audio/vidéo. Transistor NPN dans un TO-92
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UGS : BC639
BC639 Transistors NPN 0.50 DT
Le BC639 est un transistor NPN BJT doté de nombreuses fonctionnalités intéressantes dans son petit boîtier de taille TO-92. Il peut être utilisé à de nombreuses fins générales de commutation et d’amplification.
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UGS : BC640
BC639 Transistors NPN 0.50 DT
Le BC640 est un transistor NPN BJT doté de nombreuses fonctionnalités intéressantes dans son petit boîtier de taille TO-92. Il peut être utilisé à de nombreuses fins générales de commutation et d’amplification.
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UGS : BD136
BD136 Transistor PNP 0.50 DT
Le transistor BD136 avait le boîtier TO-126, c’est un boîtier de transistor de puissance principalement utilisé pour les appareils de moyenne puissance.
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UGS : BD138
BD138 Transistor PNP 0.50 DT
Le transistor BD138 avait le boîtier TO-126, c’est un boîtier de transistor de puissance principalement utilisé pour les appareils de moyenne puissance.
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UGS : BD139
BD139 Transistor PNP 0.70 DT
Le transistor BD139 avait le boîtier TO-126, c’est un boîtier de transistor de puissance principalement utilisé pour les appareils de moyenne puissance.
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UGS : BD232
BD232 Transistor NPN 1.00 DT
Le BD232 c’est un transistor silicium NPN , Uce = 300V, Ic = 250mA, d´application: étages de commande de déviation horizontale, TV
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UGS : BD234
BD234 Transistor PNP 1.00 DT
Le BD234 est un transistor de puissance PNP à base épitaxiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32 destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne. Tension (IE = 0) –
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UGS : BD235
BD235 Transistor NPN 1.00 DT
Les BD235 et BD237 sont des transistors de puissance NPN à base épitaxiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32 destinés à être utilisés dans des applications linéaires et de commutation de moyenne puissance. Les types PNP complémentaires sont respectivement BD236 et BD238.123SOT- 32 SCHÉMA INTERNE
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UGS : BD236
BD236 Transistor PNP 1.00 DT
Le BD236 est un transistor de puissance NPN à base épitaxiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32 destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de moyenne puissance
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UGS : BD240C
BD240C Transistor PNP de puissance au silicium 1.00 DT
Transistor au silicium BD240C TO220 à usage général de puissance moyenne
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UGS : BD250C
BD250C Transistor PNP TO-3P 4.00 DT
Transistor au silicium BD250C TO-3P à usage général de puissance moyenne
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UGS : BD435
BD435 Transistor de puissance NPN 1.00 DT
Le BD435 est un transistor de puissance NPN à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.
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UGS : BD436
BD436 Transistor PNP 1.00 DT
Le BD436 est un transistor de puissance PNP à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.
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UGS : BD438
BD438 Transistor de puissance PNP 1.00 DT
Le transistor de puissance BD438 PNP est à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.
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UGS : BD439
BD439 Transistor de puissance NPN 1.00 DT
Le transistor de puissance BD439 PNP est à base épit axiale en silicium dans un boîtier en plastique Jedec SOT-32, destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de puissance moyenne.
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UGS : BDW93C
BDW93C Transistor NPN Darlington 12A 100V 2.00 DT
BDW93C Transistor Darlington NPN, 12 A 100 V HFE:100, 3 broches TO-220
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